美光称人工智能驱动的内存短缺现象 “前所未有”

  

　　英伟达公司供应商科技有限公司表示，持续的存储芯片短缺问题在过去一个季度进一步加剧，并重申，由于人工智能基础设施所需高端半导体的需求激增，此次供应短缺将持续至今年以后。

　　美光科技运营执行副总裁马尼什・巴蒂亚在接受采访时表示：“我们目前遭遇的短缺局面确实是前所未有的。”此番表态是在美光于上周五在纽约州锡拉丘兹市郊外的一处百亿美元级生产基地举行奠基仪式后不久作出的，同时也是对该公司去年12月发布的同类预测的再次强调。

　　巴蒂亚表示：“人工智能加速器所需的高带宽内存，消耗了全行业大量的产能，导致面向手机、个人电脑等消费端的传统内存产品出现严重短缺。”

　　他还补充道，个人电脑及智能手机制造商已开始排队抢购2026年以后的内存芯片产能，而自动驾驶汽车和人形机器人领域的需求，还将进一步推高这类存储元件的需求量。

　　市场研究机构Counterpoint Research去年12月预测，受内存芯片短缺推高生产成本、压缩产能的影响，2025年全球智能手机出货量或将下滑2.1%。科技公司等个人电脑制造商也已发出预警，称自身业务大概率会受到当前内存短缺问题的波及。

　　受益于人工智能热潮的带动，全球存储芯片行业三巨头——美光科技、SK海力士、三星电子的股价在2025年大幅走高。SK海力士表示，公司2026年的芯片产能已全部售罄；美光科技也透露，其人工智能专用内存芯片的2025年产能同样已被预订一空。

　　为优先供应英伟达等战略企业客户，美光科技曾于去年12月宣布，将终止旗下广受欢迎的英睿达品牌消费级内存业务。人工智能行业对存储芯片的巨大需求，也进一步加快了美光在美国与亚洲两地的产能扩张步伐。

　　该公司表示，将于2027年下半年正式实现DRAM晶圆的规模化量产。

　　DRAM芯片为英伟达、等企业生产的高性能处理器提供运算环境，同时也是人工智能加速器实现高效运行所需的高带宽内存的核心组成部分。

　　巴蒂亚在周五的采访中表示：“我们在亚洲生产基地的核心任务，是持续向新一代技术迭代升级。”

　　他还补充道，与之相对，新增的晶圆产能则几乎将全部落地美国本土。

　　美光位于纽约州锡拉丘兹市附近的百亿美元级项目，规划建设四座DRAM晶圆厂，每座工厂的面积均相当于10个足球场。该项目预计将于2030年实现首批晶圆下线。

　　这家美国芯片制造商还将在现有研发设施的基础上，于博伊西市新增两座晶圆厂的产能。其中爱达荷州的首座新厂计划于2027年投产，第二座工厂也已进入规划阶段。此外，美光也在对弗吉尼亚州现有的生产基地进行升级改造与扩建。

　　上述所有扩产计划，均是美光兑现“将40%的DRAM产能转移至美国本土”这一承诺的重要组成部分。2024年，美光成功斩获美国《芯片法案》提供的62亿美元补贴，同时在工厂建设期间还能享受35%的税收抵免优惠，这些政策支持为其产能转移目标的落地奠定了坚实基础。